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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
4,217.2
15.1
写入速度,GB/s
1,857.7
7.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2268
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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