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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.8
18.5
写入速度,GB/s
9.0
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3873
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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