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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
17.1
写入速度,GB/s
1,857.7
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3467
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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