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PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
13.8
14.3
写入速度,GB/s
8.4
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2128
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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