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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
25
读取速度,GB/s
4,217.2
19.4
写入速度,GB/s
1,857.7
16.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3933
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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