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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
4,217.2
15.9
写入速度,GB/s
1,857.7
9.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2611
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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