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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
69
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
38
读取速度,GB/s
4,217.2
17.9
写入速度,GB/s
1,857.7
10.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3030
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
INTENSO 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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