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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,926.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
4,419.9
15.5
写入速度,GB/s
1,926.6
8.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
662
2414
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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