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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB

总分
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

总分
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.5
    测试中的平均数值
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 58
    左右 -132% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.7 left arrow 1,950.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    4,241.0 left arrow 14.5
  • 写入速度，GB/s
    1,950.7 left arrow 11.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    651 left arrow 2129

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较

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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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