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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
58
左右 -164% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
22
读取速度,GB/s
4,241.0
17.7
写入速度,GB/s
1,950.7
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3117
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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