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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,241.0
12.2
写入速度,GB/s
1,950.7
15.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3199
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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