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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
58
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
48
读取速度,GB/s
4,241.0
11.7
写入速度,GB/s
1,950.7
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2841
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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