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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
21.3
写入速度,GB/s
1,950.7
17.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
4251
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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