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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
15.6
写入速度,GB/s
1,950.7
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2855
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
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