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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,241.0
18.4
写入速度,GB/s
1,950.7
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3500
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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