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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
17.9
写入速度,GB/s
1,950.7
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3502
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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