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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
18.6
写入速度,GB/s
1,950.7
14.4
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3491
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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