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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,241.0
19.8
写入速度,GB/s
1,950.7
16.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
4012
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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