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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
17.4
写入速度,GB/s
1,950.7
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3310
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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