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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,241.0
15.2
写入速度,GB/s
1,950.7
11.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2791
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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