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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
58
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
32
读取速度,GB/s
4,241.0
16.6
写入速度,GB/s
1,950.7
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3357
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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