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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
58
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
55
读取速度,GB/s
4,241.0
15.1
写入速度,GB/s
1,950.7
14.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2665
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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