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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
16.9
写入速度,GB/s
1,950.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3134
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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