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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
64
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
64
读取速度,GB/s
4,241.0
16.2
写入速度,GB/s
1,950.7
7.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1909
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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