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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,241.0
18.3
写入速度,GB/s
1,950.7
15.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3574
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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