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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965662-012.A01G 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
11.9
写入速度,GB/s
1,950.7
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2489
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
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