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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965684-005.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,241.0
14.9
写入速度,GB/s
1,950.7
9.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2652
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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