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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
15.7
写入速度,GB/s
1,950.7
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2457
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
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