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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,241.0
14.8
写入速度,GB/s
1,950.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2173
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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