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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
58
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
35
读取速度,GB/s
4,241.0
16.9
写入速度,GB/s
1,950.7
14.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3228
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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