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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
16.9
写入速度,GB/s
1,950.7
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3034
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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