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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,241.0
16.9
写入速度,GB/s
1,950.7
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3034
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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