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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
16.7
写入速度,GB/s
1,950.7
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3244
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
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