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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
63
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
63
读取速度,GB/s
4,241.0
16.1
写入速度,GB/s
1,950.7
9.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1932
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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