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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

总分
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 58
    左右 -132% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.7 left arrow 1,950.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    4,241.0 left arrow 13.3
  • 写入速度，GB/s
    1,950.7 left arrow 6.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    651 left arrow 2003

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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905678-042.A00G 8GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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