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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400S2S 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs AMD R748G2400S2S 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
AMD R748G2400S2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
135
左右 66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400S2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
135
读取速度,GB/s
2,909.8
15.2
写入速度,GB/s
1,519.2
8.2
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1359
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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