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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400S2S 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs AMD R748G2400S2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
AMD R748G2400S2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
135
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R748G2400S2S 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400S2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
135
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1359
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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