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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.3
写入速度,GB/s
1,519.2
14.4
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3482
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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