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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.3
写入速度,GB/s
1,519.2
15.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3535
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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