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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
71
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
71
读取速度,GB/s
2,909.8
14.9
写入速度,GB/s
1,519.2
7.8
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1631
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
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