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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.5
写入速度,GB/s
1,519.2
13.5
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3444
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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