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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
2,909.8
18.2
写入速度,GB/s
1,519.2
15.4
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3559
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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