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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
差异
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差异
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
2,909.8
20.0
写入速度,GB/s
1,519.2
16.2
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
4006
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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