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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
2,909.8
14.8
写入速度,GB/s
1,519.2
10.9
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2536
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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