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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
2,909.8
16.3
写入速度,GB/s
1,519.2
12.2
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2893
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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