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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
39
读取速度,GB/s
2,909.8
13.2
写入速度,GB/s
1,519.2
9.4
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2489
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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