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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
16.1
写入速度,GB/s
1,519.2
12.0
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3010
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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