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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
2,909.8
14.2
写入速度,GB/s
1,519.2
11.3
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2978
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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