RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
46
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
3200
Intorno 5.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
26
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
17000
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2978
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link