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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
19.1
写入速度,GB/s
1,519.2
15.5
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3680
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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