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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
103
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
103
读取速度,GB/s
2,909.8
13.9
写入速度,GB/s
1,519.2
7.8
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1520
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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